PSPICE Komutlarının ve Çeşitli Elemanların Yazılış Biçimleri**

© 20 Şubat 2003 Deniz YILDIRIM, v1.0

Not: Bu sayfayla ilgili her türlü görüş ve önerileriniz ileride hazırlanacak olacak dökümanların kalitesinin arttırılması
açısından büyük önem taşımaktadır. Ayrıca bu sayfalarda ne tür bilgilerin olmasını istediğinizi de bana
yazabilirsiniz (e-mail: deniz@ieee.org). Şimdiden teşekkürler.

	Genel
	İlk satır devrenin tanıtımıyla ilgili bilgileri içermektedir ve program tarafından dikkate alınmamaktadır. + : bir sonraki satırda devam etmek için * : devre ile ilgiliaçıklayıcı bilgiler yazmak için, tüm satır dikkate alınmamaktadır. ; : bir satırda noktalı virgülden sonraki kısımlar program tarafından dikkate alınmamaktadır.
	Kısaltmalar
	f femto 10-15 p pico 10-12 n nano 10-9 u micro 10-6 m milli 10-3 k kilo 103 meg mega 106 g giga 109 t tera 1012
	Direnç, Kapasite ve Endüktans
	Kullanım: İSİM DüğümA DüğümB Değer İSİM : Rxxx = Direnç, Lxxx = endüktans, Cxxx = kapasite Örnek: CS 3 4 1.0uF R1 1 2 10k
	.MODEL Komutu
	MODEL İSMİ AÇIKLAMA D Diyot NPN npn Tranzistör PNP pnp Tranzistör NMOS n-Channel MOSFET PMOS p-Channel MOSFET NJF n-Channel JFET PJF p-Channel JFET GASFET n-Channel GaAs MESFET RES direnç CAP kapasite IND endüktans
	BJT Parametreleri
	Parametre Açıklama Tanımlanmamışsa Değeri BF Forward beta 100 CJE Base-emitterdepletion capacitance 0 CJC Base-collector depletion capacitance 0 VAR Reverse Early voltage sonsuz VAF Forward Early voltage sonsuz BR Reverse beta 1 NR Reverse emission coefficient 1 NF Forward emission coefficient 1 Kullanım: Qxxx collector node base node emitter node Modelname Örnek: Q1 3 2 1 NPN .MODEL NPN NPN(BF=200 CJC=20pf CJE=20pf)
	MOSFET Parametreleri
	Parametre Açıklama Tanımlanmamışsa Değeri VTO Threshold voltage 0 KP Conductance parameter 0.02 mA/V2 LEVEL choose zero for ideal CBD Drain-to-substrate capacitance 0 CBS Source-to-substrate capacitance 0 TOX Oxide-layer thickness 10-7 m Kullanım: Mname drain gate source bulk/substrate NFET Örnek: M1 10 20 0 0 NFET .MODEL NFET NMOS(LEVEL=0 VTO=2 KP=0.1)
	Diyot Parametreleri
	Parametre Açıklama Tanımlanmamışsa Değeri IS Saturation Current 10-14A CJO Junction capacitance at VD = 0 0 VJ Reverse-breakdown voltage 1V BV Reverse-breakdown voltage infinite IBV Current at VD = BV 10-10A RS Series Ohmic resistance 0 N Emission coefficient (ideality factor) 1 Syntax: Dxxx anode(+) cathode (-) Modelname Example: D1 2 1 DIODE .MODEL DIODE D(IS=4.7E-12,N=1)
	TYPES OF ANALYSES .DC (Large-Signal Transfer Characteristic)
	Syntax .DC SOURCE START STOP INCR SOURCE is the voltage or current source Transfer characteristics are obtained by incrementing the SOURCE from START to STOP in steps of INCR Example: .DC VIN -5 5 0.1
	.AC (Sinusoidal Steady-State Frequency Response)
	Syntax: .AC SCALE-TYPE NPOINTS FSTART FSTOP SCALE-TYPE: LIN linear increments NPOINTS specifies the number of frequencies between FSTART and FSTOP DEC logarithmic increments NPOINTS defines the number of points per decade OCT octaves of frequency NPOINTS defines the number of points per octave Example: .AC DEC 50 1K 1MEG Performs a sinusoidal steady-state analysis over 3 decades of frequency from 1kHz to 1Mhz, computing the response at 50 points within each decade If an analysis at a single frequency is desired, NPOINTS should be set to one and FSTART = FSTOP
	.TRAN (Transient Analysis)
	To compute the output of the circuit as a function of time Syntax: .TRAN TSTEP TSTOP TSTART TINCR UIC(optional) Analysis begins at t = 0 and ends at t = TSTOP seconds output is printed at every increment TSTEP if TSTART is nonzero it only plots starting at TSTART if TINCR is omitted the default TINCR value is (TSTOP - TSTART)/50 UIC user initial condition...the initial conditions specified in capacitor and inductor element statements are used instead NOTE: .IC control line can be used to set an initial condition for any node in the circuit
	.TF (Small-Signal Transfer Function)
	Syntax: .TF OUTPUT_VARIABLE INPUT_VARIABLE To perform a small signal analysis using small-signal linear models for nonlinear devices INPUT_VARIABLE voltage or current source Example: .TF V(1,2) VIN Finds small-signal voltage gain between nodes 1 and 2 as the output variable .TF I(V1) VS Finds the small-signal transconductance using the current through the source V1 as the output variable and VS as the input variable
	.TEMP (Temperature Specification)
	Syntax .TEMP VAL1 VAL2 VAL3 ... Perform the analysis at each temperature VAL in Celsius Default is 27C (room temperature) .IC (Initial Conditions) Syntax: .IC V(N) = VALUE V(J,K) = VALUE where N, J, K are node numbers
	.STEP (Parameter Step)
	Syntax: .STEP (TYPE) STEPVAR START STOP INCR Perform simulation while stepping the parameter STEPVAR between the values START and STOP in increments of INCR NOTE: if .AC or .DC or .TRAN is included Spice will perform these analyses for each value of STEPVAR TYPE: is optional; LIN (linear increments), DEC (increment points per decade), OCT (incr points per octave), LIST (must be followed by a list of STEPVAR values separated by spaces). Default is LIN